涂料生产厂家高沮的熔区不与任何物品接触因此硅熔体不会被站污，由于杂质分凝效应和杂质挥发的综合效果.区熔本身也是提纯过程故能获得高纯度的单晶.通过中子嫂变接杂(ND)可获得高均匀性单晶磁场拉晶法(MCZ法)该方法是在CZ法的基础上对柑姗内的熔体施加一个横向或垂直磁场.使熔体的无规则热对流得到控侧，其工艺过程基本上与CZ法相同，但MCZ法改变了整个熔体的流动状态及杂质移动条件.使单晶生长在组度波动小、固体和液体交接面相对稳定的条件下进行，改进了CZ法中热对流对单晶质量的影响。 该方法的特点是可以使晶体中无杂质条可有效地控制晶体中的氧含最，减少晶体中的二次缺陷晶体的电学特性好此外还有在徽重力下生长单晶.但因其代价高昂，仅用于科学试验用途用于制造二极管、晶体管、集成电路、电力电子器件、太阳电池、电荷藕合器件(CCD),整流器、晶闸份、射线探测器等毒性与防护参见020209硅包装及贮运产品用清洁的塑料薄膜逐锭包装，装人适宜的包装盒内.并采取防护措施.以防损坏晶体.产品外运时.将装有产品的包装盒放入箱内，四周用软物塞紧，以防损坏产品.箱外应标有“小心轻放，及“防潮”标志.应贮存在阴凉、干焕、清洁的库房内。往意防展、防溯。在运抽和贮存过程中要防止机械嵌伤、受潮和化学namu};i如参考生产厂家信息产业部电子第四十六研究所、峨姗半导体材科厂 北京有色金属研究总院、上海硅材料厂、浙江开化601厂一硅乡晶录号[7440-21-3〕元书符号Si相对分干质旦性质具有灰色金属光泽的品体。相对密度2.32-2.34.熔点沸点2355℃.溶于组奴酸和硫酸的混胶中，不协于水动酸和盐敌.硬度介于锗和石英之间.在室沮下质脆.切割时易碎裂。加热至800℃以上即可延长，1300℃时显出明显变形。常祖下不活滚，高沮下与饭、盆.硫等反应.在高滋熔触状态下。 admin